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In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法
2013-9-18 21:01:54发表  已被浏览过5617次    作者:苏中专利

专利名称 In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法 专利号 ZL201110309719.X
专利权人 扬州大学 专利类别 发明
发明、设计人员 何军辉; 张春伟; 刘拥军; 电话 ——
联系方式 江苏省扬州市大学南路88号 225009 代理机构 苏中专利
转让价格 ——

专利技术简要说明:

本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法,将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型,所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3,然后在1250℃下烧结,制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材,将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积,制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜,该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm,平均透光率在90%以上。本发明工艺简单,采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能,通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性,在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。



权利要求书:

In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜,其特征在于:将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型,然后在1000℃?1400℃下烧结,制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材,所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3?粉末的质量比为91:5:1:3;将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积,制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜,该透明导电薄膜的最低电阻率达2.23×10?4Ω·cm,平均透光率在90%以上。

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